onsemi FCPF190N65S3R0L N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 17 A 33 W, 3-Pin TO-220F
- RS Best.-Nr.:
- 178-4523
- Herst. Teile-Nr.:
- FCPF190N65S3R0L
- Marke:
- ON Semiconductor
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 17 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | TO-220F | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 190 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 33 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.6mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 10.3mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| Höhe | 15.7mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 17 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße TO-220F | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 190 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 33 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±30 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.6mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 10.3mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 33 nC @ 10 V | ||
Höhe 15.7mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Damit trägt die SUPERFET III MOSFET-Easy-Drive-Serie zur Beherrschung von elektromagnetischen Störungen (EMI) bei und ermöglicht eine einfachere Design-Implementierung.
700 V bei TJ = 150 °C
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 300 pF)
Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 33 nC)
Optimierte Kapazität
Typ. RDS(on) = 159 mΩ
Interner Gate-Widerstand: 0,5 Ω
Vorteile:
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Geringe Schaltverluste
Geringe Schaltverluste
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
Anwendungen:
Computer
Unterhaltungselektronik
Industrieausführung
Endprodukte:
Notebook/Desktop-Computer/Spielkonsole
Telekommunikation/Server
LCD/LED-TV
LED-Beleuchtung / Starter
Adapter
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 300 pF)
Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 33 nC)
Optimierte Kapazität
Typ. RDS(on) = 159 mΩ
Interner Gate-Widerstand: 0,5 Ω
Vorteile:
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Geringe Schaltverluste
Geringe Schaltverluste
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
Anwendungen:
Computer
Unterhaltungselektronik
Industrieausführung
Endprodukte:
Notebook/Desktop-Computer/Spielkonsole
Telekommunikation/Server
LCD/LED-TV
LED-Beleuchtung / Starter
Adapter