onsemi FDMC010N08C N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 51 A 52 W, 8-Pin Power33
- RS Best.-Nr.:
- 178-4581
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC010N08C
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 2,111 € | 21,11 € |
| 100 - 240 | 1,649 € | 16,49 € |
| 250 - 490 | 1,587 € | 15,87 € |
| 500 - 990 | 1,385 € | 13,85 € |
| 1000 + | 1,174 € | 11,74 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-4581
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC010N08C
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 51 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 80 V | |
| Gehäusegröße | Power33 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 52 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 3.4mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 3.4mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 51 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 80 V | ||
Gehäusegröße Power33 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 10 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 52 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 3.4mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 15 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 3.4mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
Höhe 0.75mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- PH
Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens von ON Semiconductor mit geschirmter Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.
Niedriger RDS (ein) und QG
Sehr niedriger Qrr
Niedriges Schaltgeräusch /EMI
Vorteile:
Minimierung von Leitungs- und Schaltverlusten
Minimierung von elektromagnetischen Störungen (EMI) und Spannungsspitzen
Anwendungen:
Hochleistungs-DC/DC-Wandler
Synchrone AC/DC-Gleichrichter
Motorsteuerung
Solar
Endprodukte:
Netcom/Telekommunikation
Netzteile
Akkuwerkzeug
Sehr niedriger Qrr
Niedriges Schaltgeräusch /EMI
Vorteile:
Minimierung von Leitungs- und Schaltverlusten
Minimierung von elektromagnetischen Störungen (EMI) und Spannungsspitzen
Anwendungen:
Hochleistungs-DC/DC-Wandler
Synchrone AC/DC-Gleichrichter
Motorsteuerung
Solar
Endprodukte:
Netcom/Telekommunikation
Netzteile
Akkuwerkzeug