onsemi NVMFS5A140PLZWFT1G P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 140 A 200 W, 5-Pin DFN

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
178-4597
Herst. Teile-Nr.:
NVMFS5A140PLZWFT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

140 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

DFN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand max.

4,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.6V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

200 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

5.1mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

136 nC @ 10 V

Breite

6.1mm

Höhe

1.05mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

Ursprungsland:
MY
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion. Für Automobilanwendungen geeignet.

Merkmale
Kleine Abmessungen: 5 x 6 mm
Niedriger RDS (EIN)
NVMFS5A140PLZWF – Option mit benetzbaren Flanken
PPAP-fähig

Vorteile
Kompaktes Design
Minimiert Leitungsverluste
Verbesserte optische Prüfung
Geeignet für Automobilanwendungen
Umweltschutzaspekte
Anwendungen
Verpolungsschutz für den Einsatz in der Automobilindustrie
Lastschalter für den Einsatz in der Automobilindustrie
Endprodukte
Kfz (Scheinwerfer, Karosseriesteuerung)