onsemi NTP5864N N-Kanal Dual, THT MOSFET 60 V / 63 A 107 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
178-4781
Herst. Teile-Nr.:
NTP5864NG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

63 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Serie

NTP5864N

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

0,0124 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Verlustleistung max.

107 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Länge

10.28mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

15.75mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

31 nC @ 10 V

Höhe

4.82mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Der on Semiconductor NTP5864N ist ein Leistungs-MOSFET. Der Gehäusetyp des MOSFET ist der TO-220-3. Der durchgehende Drain-Strom des MOAFET beträgt 63 A.

Niedriger RDS (EIN)
Hohe Strombelastbarkeit
Lawinenenergie spezifiziert
RoHS-konform