Infineon OptiMOS 5 IPB026N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 136 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

1.426,00 €

(ohne MwSt.)

1.697,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +1,426 €1.426,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
178-5074
Herst. Teile-Nr.:
IPB026N06NATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3,9 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

136 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

11.05mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

56 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.31mm

Transistor-Werkstoff

Si

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

OptiMOS 5

Höhe

4.57mm