Infineon OptiMOS 5 IPB014N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A 214 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
178-5076
Herst. Teile-Nr.:
IPB014N06NATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

180 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand max.

2,1 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

214 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

10.31mm

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

106 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

11.05mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

4.57mm

Serie

OptiMOS 5