Microchip N-Kanal, SMD MOSFET 350 V / 230 mA 1,6 W, 4-Pin TO-243AA

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RS Best.-Nr.:
178-5277
Herst. Teile-Nr.:
DN3535N8-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

230 mA

Drain-Source-Spannung max.

350 V

Gehäusegröße

TO-243AA

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand max.

10 Ω

Channel-Modus

Depletion

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Verlustleistung max.

1,6 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

4.6mm

Breite

2.6mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.6mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus


Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale


Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:


Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation


MOSFET-Transistoren, Microchip