Microchip DN3535N8-G N-Kanal, SMD MOSFET 350 V / 230 mA 1,6 W, 4-Pin TO-243AA

RS Best.-Nr.:: 178-5277
Herst. Teile-Nr.:: DN3535N8-G
Marke:: Microchip

Microchip DN3535N8-G N-Kanal, SMD MOSFET 350 V / 230 mA 1,6 W, 4-Pin TO-243AA

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Das Produkt ist zurzeit nicht verfügbar und kann derzeit nicht vorbestellt werden.

Leider ist dieses Produkt derzeit nicht auf Lager und kann nicht vorbestellt werden.

Im Warenkorb

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2000)

0,628 €

(ohne MwSt.)

0,747 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
2000 +	0,628 €	1.256,00 €
*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 178-5277
Herst. Teile-Nr.:: DN3535N8-G
Marke:: Microchip

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus

Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale

Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:

Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	230 mA
Drain-Source-Spannung max.	350 V
Gehäusegröße	TO-243AA
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	10 Ω
Channel-Modus	Depletion
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Verlustleistung max.	1,6 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	4.6mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	2.6mm
Höhe	1.6mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C