ROHM QS6U24 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1 A 900 mW, 6-Pin TSMT

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
178-5898
Herst. Teile-Nr.:
QS6U24TR
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

1 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

TSMT

Serie

QS6U24

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

800 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

900 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Länge

3mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

1.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

1,7 nC @ 5 V (N-Kanal)

Höhe

0.95mm

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
TH
ROHM MOSFETs werden als Bauelemente mit niedrigem RDS(on)-Widerstand durch die Mikroverarbeitungstechnologie hergestellt und sind in einer breiten Palette einschließlich Hybridtypen (MOSFET + Schottky-Diode) erhältlich, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

Middle Power-MOSFET mit mehreren Schottky-Dioden
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei