ROHM QS8J4 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 178-5996
- Herst. Teile-Nr.:
- QS8J4TR
- Marke:
- ROHM
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- QS8J4TR
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- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Serie | QS8J4 | |
| Gehäusegröße | TSMT-8 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 84 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 1,5 W | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Breite | 2.5mm | |
| Länge | 3.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13 nC @ 10 V (N-Kanal) | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Serie QS8J4 | ||
Gehäusegröße TSMT-8 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 84 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 1,5 W | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Breite 2.5mm | ||
Länge 3.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 13 nC @ 10 V (N-Kanal) | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 0.8mm | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- JP
Komplexe MOSFETs (P+P) werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
4-V-Antriebstyp
Pch+Pch-MOSFET für mittlere Leistung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei
Pch+Pch-MOSFET für mittlere Leistung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei