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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Channel-Typ	P
	Dauer-Drainstrom max.	4 A
	Drain-Source-Spannung max.	30 V
	Serie	QS8J4
	Gehäusegröße	TSMT-8
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand max.	84 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
	Gate-Schwellenspannung min.	1V
	Verlustleistung max.	1,5 W
	Gate-Source Spannung max.	±20 V
	Breite	2.5mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Länge	3.1mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	13 nC @ 10 V (N-Kanal)
	Höhe	0.8mm
	Diodendurchschlagsspannung	1.2V

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Channel-Typ P
	Dauer-Drainstrom max. 4 A
	Drain-Source-Spannung max. 30 V
	Serie QS8J4
	Gehäusegröße TSMT-8
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand max. 84 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 2.5V
	Gate-Schwellenspannung min. 1V
	Verlustleistung max. 1,5 W
	Gate-Source Spannung max. ±20 V
	Breite 2.5mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Länge 3.1mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 13 nC @ 10 V (N-Kanal)
	Höhe 0.8mm
	Diodendurchschlagsspannung 1.2V

Datasheet

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:: JP

Komplexe MOSFETs (P+P) werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

4-V-Antriebstyp
Pch+Pch-MOSFET für mittlere Leistung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei

ROHM QS8J4 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8