Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 200 mA 1 W, 3-Pin SOT-89
- RS Best.-Nr.:
- 178-7048
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS192,115
- Marke:
- Nexperia
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- 178-7048
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS192,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 200 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 240 V | |
| Gehäusegröße | SOT-89 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 12 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.8V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V | |
| Verlustleistung max. | 1 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 2.6mm | |
| Länge | 4.6mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 200 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 240 V | ||
Gehäusegröße SOT-89 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 12 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.8V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.8V | ||
Verlustleistung max. 1 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 2.6mm | ||
Länge 4.6mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 1.6mm | ||
Der Nexperia a BSS 192 ist ein vertikaler P-Kanal-Verbesserungsmodus-Doppeldiffused-Feldeffekttransistor (D-MOSFET) in einem SOT89 (SC-62)-SMD-Kunststoffgehäuse mit mittlerer Leistung und Flachkabel.
Direkte Schnittstelle zu komplementären (C-MOS) transitiven und transistor-transistor-logischen (TTL) Geräten
Sehr schnelle Schaltung
Kein sekundärer Ausfall
Sehr schnelle Schaltung
Kein sekundärer Ausfall