Nexperia BSS192,115 P-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 200 mA 1 W, 3-Pin SOT-89
- RS Best.-Nr.:
- 178-7048
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS192,115
- Marke:
- Nexperia
Nicht mehr im Sortiment
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- 178-7048
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS192,115
- Marke:
- Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
P-Kanal-MOSFET, Nexperia
Der Nexperia a BSS 192 ist ein vertikaler P-Kanal-Verbesserungsmodus-Doppeldiffused-Feldeffekttransistor (D-MOSFET) in einem SOT89 (SC-62)-SMD-Kunststoffgehäuse mit mittlerer Leistung und Flachkabel.
Direkte Schnittstelle zu komplementären (C-MOS) transitiven und transistor-transistor-logischen (TTL) Geräten
Sehr schnelle Schaltung
Kein sekundärer Ausfall
Sehr schnelle Schaltung
Kein sekundärer Ausfall
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 200 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 240 V |
| Gehäusegröße | SOT-89 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 12 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.8V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V |
| Verlustleistung max. | 1 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 2.6mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 4.6mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 1.6mm |
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