Infineon BF999E6327HTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET-Tetrode 30 V / 1,4 A 200 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 178-7400
- Herst. Teile-Nr.:
- BF999E6327HTSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- BF999E6327HTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V | |
| Verlustleistung max. | 200 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 1.3mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Leistungsverstärkung | 27 dB | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.8V | ||
Verlustleistung max. 200 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 1.3mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 2.9mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 0.9mm | ||
Leistungsverstärkung 27 dB | ||