Infineon OptiMOS 3 BSC042NE7NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 100 A 125 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
178-7492
Herst. Teile-Nr.:
BSC042NE7NS3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Gehäusegröße

TDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

4,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

125 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5.35mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

52 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

6.1mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

OptiMOS 3

Höhe

1.1mm

RoHS Status: Nicht zutreffend