onsemi FDG6301N N-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 220 mA 300 mW, 6-Pin SOT-363 (SC-70)

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RS Best.-Nr.:
178-7599
Herst. Teile-Nr.:
FDG6301N
Marke:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

220 mA

Drain-Source-Spannung max.

25 V

Gehäusegröße

SOT-363 (SC-70)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

7 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.65V

Verlustleistung max.

300 mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

+8 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Länge

2mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

0,29 nC @ 5 V

Breite

1.25mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C