Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A, 6-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 180-7280
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3407DV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 180-7280
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3407DV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,024 O | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Serie TrenchFET | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,024 O | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der TrenchFET P-Kanal-Leistungs-MOSFET der Vishay Siliconix Si3407DV-Serie hat eine Drain-to-Source-Spannung von 20 V. Er wird in Lastschaltern und Notebook-PCs verwendet.
PWM-optimiert
100 % Rg geprüft
100 % UIS-geprüft
Bleifrei
Halogenfrei
100 % Rg geprüft
100 % UIS-geprüft
Bleifrei
Halogenfrei