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- RS Best.-Nr.:
- 180-7415
- Herst. Teile-Nr.:
- SUD19P06-60-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
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| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
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Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der MOSFET von Vishay ist ein P-Kanal-Gehäuse, TO-252-3 ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 60 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 38.5 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung und Funktionalität.
Merkmale und Vorteile
• Halogen- und bleifreie Komponente (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Anwendungen
• DC/DC-Wandler für LCD-Displays
• High-Side-Schalter für Vollbrückenkonverter