Vishay Einfach E Typ N-Kanal MOSFET 600 V / 21 A 35 W TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 180-7900P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA22N60E-E3
- Marke:
- Vishay
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- SIHA22N60E-E3
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.18Ω | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 86nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 35W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 10.3 mm | |
| Länge | 13.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.18Ω | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 86nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 35W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 10.3 mm | ||
Länge 13.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
The Vishay SIHA22N60E is a E series N-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 600V.The gate to source voltage(VGS) is 30V. It is having Thin-Lead TO-220 FULLPAK package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.18ohms at 10VGS. Maximum drain current 8A.
Low figure of merit (FOM) Ron x Qg
Low input capacitance (Ciss)
Reduced switching and conduction losses