Vishay N-Kanal N-Kanal MOSFET 200 V / 90 A 375 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 180-8081P
- Herst. Teile-Nr.:
- SUM90140E-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | N-Kanal MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.017Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 64nC | |
| Transistor-Konfiguration | N-Kanal | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.875mm | |
| Breite | 10.414 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ N-Kanal MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.017Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 64nC | ||
Transistor-Konfiguration N-Kanal | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.875mm | ||
Breite 10.414 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
The Vishay SUM90140E is a N-channel 175°C maximum junction temperature MOSFET having drain to source voltage(Vds) of 200V and gate to source voltage (VGS) 20V. It is having D2PAK (TO-263) package. It is offers drain to source resistance (RDS.) of 0.017ohms at 10VGS and 0.018ohms at 7.5VGS. Maximum drain current 90A.
Thunder FET power MOSFET
Maximum 175°C junction temperature
100 % Rg and UIS tested