Vishay MOSFET

Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-220AB-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 500 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 180 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 460 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

• Erweiterte dV/dt-Funktionen bieten eine verbesserte Robustheit
• Höhere Gate-Spannungsschwelle bietet verbesserte Störfestigkeit
• bleifreie Komponente (Pb)
• Niedrigere Gate-Ladung führt zu einfacheren Antriebsanforderungen
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Die superschnelle Gehäusediode macht externe Dioden in ZVS-Anwendungen überflüssig

• Motorsteuerungsanwendungen
• Telekommunikations- und Servernetzteile
• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
• Nullspannungsschaltungs-SMPS