Vishay Einfach Typ P-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 100 V / 6.8 A 60 W TO-263

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RS Best.-Nr.:
180-8684
Herst. Teile-Nr.:
IRF9520SPBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.6Ω

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Breite

10.67 mm

Länge

9.65mm

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-263-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 600 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 60 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• erhältlich in Band und Rolle

• Dynamische dV/dt-Bewertung

• Schnelles Schalten

• Halogenfrei

• bleifreie Komponente (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.

• Repetitive Lawinenausladung

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen


• Akkuladegeräte

• Umrichter

• Netzteile

• Schaltnetzteil (SMPS)

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