Vishay Einfach Typ P-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 60 V / 11 A 60 W JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 180-8692
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9Z24PBF
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
8,34 €
(ohne MwSt.)
9,925 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 23. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,668 € | 8,34 € |
| 50 - 120 | 1,50 € | 7,50 € |
| 125 - 245 | 1,418 € | 7,09 € |
| 250 - 495 | 1,336 € | 6,68 € |
| 500 + | 1,25 € | 6,25 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8692
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9Z24PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.28Ω | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 60W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.28Ω | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 60W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-263-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 280 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 60 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Dynamische dV/dt-Bewertung
• Einfache Parallelschaltung
• Schnelles Schalten
• bleifreie Komponente (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Repetitive Lawinenausladung
• Einfache Laufwerkanforderungen
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Anwendungen
• Akkuladegeräte
• Umrichter
• Netzteile
• Schaltnetzteil (SMPS)
Verwandte Links
- Vishay Einfach Typ P-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 60 V / 11 A 60 W JEDEC TO-220AB IRF9Z24PBF
- Vishay RF9Z10 Typ P-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay Einfach Typ P-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 50 V / 18 A 74 W JEDEC TO-220AB
- Vishay Einfach Typ P-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 50 V / 18 A 74 W JEDEC TO-220AB IRF9Z30PBF
- Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 60 V / 50 A 150 W JEDEC TO-220AB
- Vishay Typ P-Kanal MOSFET 60 V / 90 A 250 W JEDEC TO-220AB
- Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 60 V / 50 A 150 W JEDEC TO-220AB IRFZ44RPBF
- Vishay IRFZ Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB