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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
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| 10 - 90 | 0,826 € | 8,26 € |
| 100 - 240 | 0,785 € | 7,85 € |
| 250 - 490 | 0,661 € | 6,61 € |
| 500 - 990 | 0,619 € | 6,19 € |
| 1000 + | 0,578 € | 5,78 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8697
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD220PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
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|---|---|---|
Marke Vishay | ||
- Ursprungsland:
- PH
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal HVMDIP-4-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 200 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 800 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 1 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Dynamische dV/dt-Bewertung
• Einfache Parallelschaltung
• Am Ende stapelbar
• Schnelles Schalten
• für automatisches Einsetzen
• bleifreie Komponente (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Repetitive Lawinenausladung
• Einfache Laufwerkanforderungen
• Einfache Parallelschaltung
• Am Ende stapelbar
• Schnelles Schalten
• für automatisches Einsetzen
• bleifreie Komponente (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Repetitive Lawinenausladung
• Einfache Laufwerkanforderungen
Anwendungen
• Akkuladegeräte
• Umrichter
• Netzteile
• Schaltnetzteil (SMPS)
• Umrichter
• Netzteile
• Schaltnetzteil (SMPS)