Vishay Typ N-Kanal MOSFET 100 V / 28 A 150 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
180-8780
Herst. Teile-Nr.:
IRL540PBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

28A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.077Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

5 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

64nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal, das TO-220-3-Gehäuse ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Es hat einen Ablassquellenwiderstand von 77 Mohm bei einer Gate-Quelle-Spannung von 5 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 150 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung und Funktionalität.

Merkmale und Vorteile


• Dynamische dV/dt-Nennleistung

• Einfache Parallelschaltung

• Schnelles Umschalten

• Bleifreie (Pb)-Komponente

• Logik-Level-Gate-Laufwerk

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C

• Der bei VGS angegebene RDS (Ein) beträgt 4 V und 5 V

• Wiederholt lawinenbeständig

Anwendungen


• Akkuladegeräte

• Frequenzumrichter

• Netzteile

• Schaltnetzteil (SMPS)