onsemi N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 76 A 107 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 181-1860
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP8D5N10C
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 181-1860
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP8D5N10C
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 76 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8,5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 107 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Breite | 4.67mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 15.21mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 76 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 8,5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 107 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 25 nC @ 10 V | ||
Breite 4.67mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 15.21mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens von ON Semiconductor mit geschirmter Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.
Max RDS(on) = 8,5 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 76 A
Leistungsdichte und geschirmtes Gate Leistungsdichte und geschirmtes Gate Hohe Effizienz / Hohe Leistung
Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(on)
Hohe Leistungsdichte durch geschirmte Gate-Technologie
Extrem geringe Rückwärts-Rückgewinnungsladung, Qrr
Integriertes Spannungsschutzelement mit niedrigem Vds-Spike
Niedrige Gate-Ladung, QG = 25 nC (typ.)
Geringe Schaltverluste
Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
Niedrige Qrr/Trr
Soft-Recovery-Leistung
Synchrongleichrichtung für ATX / Server / Workstation / Telekommunikationsnetzteil / Adapter und Industrienetzgeräte.
Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen
Micro Solar-Wechselrichter
Server
Telekom
Computing (ATX, Workstation, Adapter, Industrienetzgeräte usw.)
Motorantrieb
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Solarwechselrichter
Leistungsdichte und geschirmtes Gate Leistungsdichte und geschirmtes Gate Hohe Effizienz / Hohe Leistung
Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(on)
Hohe Leistungsdichte durch geschirmte Gate-Technologie
Extrem geringe Rückwärts-Rückgewinnungsladung, Qrr
Integriertes Spannungsschutzelement mit niedrigem Vds-Spike
Niedrige Gate-Ladung, QG = 25 nC (typ.)
Geringe Schaltverluste
Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
Niedrige Qrr/Trr
Soft-Recovery-Leistung
Synchrongleichrichtung für ATX / Server / Workstation / Telekommunikationsnetzteil / Adapter und Industrienetzgeräte.
Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen
Micro Solar-Wechselrichter
Server
Telekom
Computing (ATX, Workstation, Adapter, Industrienetzgeräte usw.)
Motorantrieb
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Solarwechselrichter