Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2 A 1 W, 3-Pin SOT-23F

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RS Best.-Nr.:
182-5538
Herst. Teile-Nr.:
SSM3J356R,LF(T
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

2 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

SOT-23F

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

400 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

0.8V

Verlustleistung max.

1 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–20/+10 V

Breite

1.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

8,3 nC @ 10 V

Länge

2.9mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

0.8mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
TH
4 V Gate-Ansteuerungsspannung.
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle
RDS(ON) = 400 Ω (max.) (@ VGS = -4,0 V)
RDS(ON) = 300 Ω (max.) (@ VGS = -10 V)
HBM: 2-kV-Klasse
Anwendungen
Stromversorgungsschalter