Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 800 mA 150 mW, 3-Pin 2-2H1S

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RS Best.-Nr.:
182-5545
Herst. Teile-Nr.:
SSM3K56FS,LF(T
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

800 mA

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

2-2H1S

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

235 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1V

Gate-Schwellenspannung min.

0.4V

Verlustleistung max.

150 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±8 V

Breite

0.8mm

Länge

1.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

1 nC @ 4,5 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

0.65mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Ursprungsland:
TH
Gate-Ansteuerungsspannung: 5 V
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle
RDS(ON) = 235 Ω (max.) (@ VGS = 4,5 V)
RDS(ON) = 300 Ω (max.) (@ VGS = 2,5 V)
RDS(ON) = 480 Ω (max.) (@ VGS = 1,8 V)
RDS(ON) = 840 Ω (max.) (@ VGS = 1,5 V)
Anwendungen
Hochgeschwindigkeitsschalten