DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 100 V 139 W, 8-Pin PowerDI5060
- RS Best.-Nr.:
- 182-6924
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT10H010SPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 182-6924
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT10H010SPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 113 A (konstant), 90 A (Status) | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 11,5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 139 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 5.1mm | |
| Länge | 6mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 56,4 nC @ 10V | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 113 A (konstant), 90 A (Status) | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße PowerDI5060 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 11,5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 139 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 5.1mm | ||
Länge 6mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 56,4 nC @ 10V | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
Höhe 1.05mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation vom Anreicherungstyp N-Kanal wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt und bietet dennoch überlegene Schaltleistung. Das Gerät ist ideal für die Notebook-Akkuüberwachung und Lastschalter geeignet.
Zu 100 % gelöste Induktionsschaltung – Erlaubt zuverlässigere und robustere Endanwendungen
Niedriger RDS(ON) – minimiert Verluste im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Anwendungen
Motorsteuerung
DC/DC-Wandler
Stromüberwachungseinheit
Niedriger RDS(ON) – minimiert Verluste im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Anwendungen
Motorsteuerung
DC/DC-Wandler
Stromüberwachungseinheit