DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 69,6 A (Status), 98,4 A (konstant) 125 W, 8-Pin PowerDI5060

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RS Best.-Nr.:
182-6933
Herst. Teile-Nr.:
DMTH10H010LPS-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

69,6 A (Status), 98,4 A (konstant)

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

PowerDI5060

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

20 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3V

Gate-Schwellenspannung min.

1.4V

Verlustleistung max.

125 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

5.1mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

53,7 nC @ 10V

Länge

6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

1.05mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET der neuen Generation vom Anreicherungstyp N-Kanal wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt und bietet dennoch überlegene Schaltleistung. Das Gerät ist ideal für die Notebook-Akkuüberwachung und Lastschalter geeignet.

Ausgelegt für +175°C – Ideal für den Einsatz bei hoher Umgebungstemperatur
Thermisch-effiziente Gehäusekühlung bei der Ausführung von Anwendungen
Hohe Effizienz bei der Wandlung
Niedriger RDS(ON) – minimiert Verluste im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Anwendungen
Motorsteuerung
DC/DC-Wandler
Stromüberwachungseinheit