DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 20 V 1,6 W, 6-Pin U-DFN2020
- RS Best.-Nr.:
- 182-7076
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2025UFDF-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 182-7076
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2025UFDF-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 5,2 A (Status), 6,5 A (konstant) | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | U-DFN2020 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 60 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V | |
| Verlustleistung max. | 1,6 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±10 V | |
| Länge | 2.05mm | |
| Breite | 2.05mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 12,3 nC bei 10 V | |
| Höhe | 0.58mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 5,2 A (Status), 6,5 A (konstant) | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße U-DFN2020 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 60 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.5V | ||
Verlustleistung max. 1,6 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±10 V | ||
Länge 2.05mm | ||
Breite 2.05mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 12,3 nC bei 10 V | ||
Höhe 0.58mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Profil von 0,6 mm – Ideal für Anwendungen mit niedriger Bauhöhe
Leiterplattenmaß von 4 mm²
Niedrige Gate-Schwellenspannung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
ESD-geschütztes Gate
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.
Anwendungen
Batterieüberwachungsanwendungen
Stromüberwachungsfunktionen
DC/DC-Wandler
Leiterplattenmaß von 4 mm²
Niedrige Gate-Schwellenspannung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
ESD-geschütztes Gate
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.
Anwendungen
Batterieüberwachungsanwendungen
Stromüberwachungsfunktionen
DC/DC-Wandler
