DiodesZetex Doppelt Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.6 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
- RS Best.-Nr.:
- 182-7079
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC3071LVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)*
14,70 €
(ohne MwSt.)
17,50 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 1100 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- 1.900 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | 0,147 € | 14,70 € |
| 200 - 400 | 0,129 € | 12,90 € |
| 500 - 900 | 0,103 € | 10,30 € |
| 1000 - 1900 | 0,094 € | 9,40 € |
| 2000 + | 0,086 € | 8,60 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-7079
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC3071LVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 140mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Breite | 1.7 mm | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 140mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 0.9mm | ||
Breite 1.7 mm | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(on)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Hinterleuchtung.
DC/DC-Wandler
Stromüberwachungsfunktionen
Verwandte Links
- DiodesZetex Doppelt Typ N Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.6 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal 6-Pin TSOT-26
- DiodesZetex Doppelt Typ N Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Doppelt DMC3060 Typ P Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 3.6 A 1.16 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Doppelt DMP3164 Typ P-Kanal 2 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Isoliert Typ N Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 5.2 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Doppelt DMN3061 Typ N-Kanal 1 6-Pin TSOT
- DiodesZetex DMP2067 Typ P-Kanal 6-Pin TSOT
