DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 11 W, 4-Pin SOT-223

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*

15,45 €

(ohne MwSt.)

18,40 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 1.550 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
50 - 2000,309 €15,45 €
250 - 4500,27 €13,50 €
500 - 9500,216 €10,80 €
1000 - 19500,181 €9,05 €
2000 +0,166 €8,30 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
182-7095
Herst. Teile-Nr.:
DMN6069SE-13
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

DMN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

100mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

11W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.55mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.55 mm

Höhe

1.65mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(on)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Anwendungen

Motorsteuerung

Transformator-Antriebsschalter

DC/DC-Wandler

Stromüberwachungsfunktionen

Unterbrechungsfreie Stromversorgung

Verwandte Links