DiodesZetex DMN2040U Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6 A 1.36 W, 3-Pin DMN2040U-7 SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 182-7101
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2040U-7
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)*
10,10 €
(ohne MwSt.)
12,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 2.500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | 0,101 € | 10,10 € |
| 200 - 400 | 0,089 € | 8,90 € |
| 500 - 900 | 0,071 € | 7,10 € |
| 1000 - 1900 | 0,065 € | 6,50 € |
| 2000 + | 0,059 € | 5,90 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-7101
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2040U-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMN2040U | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 33mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.36W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMN2040U | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.36W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 3mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.
Anwendungen
Universal-Schnittstellenschalter
Stromüberwachungsfunktionen
Verwandte Links
- DiodesZetex N-Kanal36 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal Quad 850 mA 1 8-Pin SOIC
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal Quad4 A; 136 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex N-Kanal8 A 1 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex N-Kanal5 A 1 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex N-Kanal2 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex N-Kanal4 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex N-Kanal5 A 1 3-Pin SOT-23
