DiodesZetex DMP6050SPS-13 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 5,7 A 2,4 W, 8-Pin PowerDI5060-8
- RS Best.-Nr.:
- 182-7204
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP6050SPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 25)
0,574 €
(ohne MwSt.)
0,683 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 0,574 € | 14,35 € |
| 250 - 475 | 0,469 € | 11,725 € |
| 500 - 975 | 0,431 € | 10,775 € |
| 1000 - 1475 | 0,369 € | 9,225 € |
| 1500 + | 0,345 € | 8,625 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 182-7204
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP6050SPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Dieses 60-V-MOSFET der neuen Generation vom Anreicherungstyp P-Kanal wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt und bietet dennoch überlegene Schaltleistung. Das Gerät ist ideal für die Notebook-Batterieüberwachung und Lastschalter geeignet.
Thermisch-effiziente Gehäusekühlung bei der Ausführung von Anwendungen
Hohe Effizienz bei der Wandlung
Niedriger RDS(ON) – minimiert Verluste im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Batterieleistungsüberwachung für Notebook-Computer
DC/DC-Wandler
Lastschalter
Hohe Effizienz bei der Wandlung
Niedriger RDS(ON) – minimiert Verluste im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Batterieleistungsüberwachung für Notebook-Computer
DC/DC-Wandler
Lastschalter
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 5,7 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | PowerDI5060-8 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 70 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 2,4 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 6mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 30 nC @ 10V |
| Breite | 5.1mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Höhe | 1.05mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
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