DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 60 V 2,3 W, 6-Pin U-DFN2020
- RS Best.-Nr.:
- 182-7210
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH6016LFDFW-7
- Marke:
- DiodesZetex
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,744 € | 7,44 € |
| 100 - 490 | 0,659 € | 6,59 € |
| 500 - 740 | 0,539 € | 5,39 € |
| 750 - 1490 | 0,468 € | 4,68 € |
| 1500 + | 0,457 € | 4,57 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-7210
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH6016LFDFW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 6,6 A (Status), 9,4 Á (konstant) | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | U-DFN2020 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 27,5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 2,3 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Länge | 2.05mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15,3 nC @ 10V | |
| Breite | 2.05mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 6,6 A (Status), 9,4 Á (konstant) | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße U-DFN2020 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 27,5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 2,3 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Länge 2.05mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 15,3 nC @ 10V | ||
Breite 2.05mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1V | ||
Höhe 0.6mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Ausgelegt für +175 °C – Ideal für den Einsatz bei hoher Umgebungstemperatur
Umgebungsbedingungen
Niedriger RDS(ON) – Sorgt dafür, dass Zustandsverluste minimiert werden
Profil von 0,6 mm – Ideal für Anwendungen mit niedriger Bauhöhe
Leiterplattenmaß von 4 mm²
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.
Anwendung
Stromüberwachungsfunktionen
DC/DC-Wandler
Hinterleuchtung.
Umgebungsbedingungen
Niedriger RDS(ON) – Sorgt dafür, dass Zustandsverluste minimiert werden
Profil von 0,6 mm – Ideal für Anwendungen mit niedriger Bauhöhe
Leiterplattenmaß von 4 mm²
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.
Anwendung
Stromüberwachungsfunktionen
DC/DC-Wandler
Hinterleuchtung.