DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 80 A 44 W, 4-Pin DMN3009SK3-13 TO-252

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RS Best.-Nr.:
182-7249
Herst. Teile-Nr.:
DMN3009SK3-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

DMN

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Maximale Verlustleistung Pd

44W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.26mm

Länge

6.7mm

Breite

6.2 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Anwendungen

Stromüberwachungsfunktionen

DC/DC-Wandler

Industrieausführung

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