DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 21 A 1,3 W, 8-Pin TSSOP
- RS Best.-Nr.:
- 182-7303
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2011UTS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 182-7303
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2011UTS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 21 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | TSSOP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 50 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V | |
| Verlustleistung max. | 1,3 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±12 V | |
| Breite | 3.1mm | |
| Länge | 4.5mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 21 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße TSSOP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 50 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V | ||
Verlustleistung max. 1,3 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±12 V | ||
Breite 3.1mm | ||
Länge 4.5mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 56 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1.02mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Niedrige Gate-Schwellenspannung
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
ESD-geschütztes Gate
Anwendungen
Batterieüberwachungsanwendungen
Stromüberwachungsfunktionen
DC/DC-Wandler
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
ESD-geschütztes Gate
Anwendungen
Batterieüberwachungsanwendungen
Stromüberwachungsfunktionen
DC/DC-Wandler