DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 123 A 166 W, 8-Pin PowerDI5060-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
182-7308
Herst. Teile-Nr.:
DMTH10H010SPS-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

123 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

PowerDI5060-8

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

11,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

166 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

6mm

Breite

5.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

56,4 nC @ 10V

Automobilstandard

AEC-Q101

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.05mm

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET der neuen Generation vom Anreicherungstyp N-Kanal wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt und bietet dennoch überlegene Schaltleistung. Das Gerät ist ideal für die Notebook-Akkuüberwachung und Lastschalter geeignet.

Ausgelegt für +175°C – Ideal für den Einsatz bei hoher Umgebungstemperatur
Zu 100 % gelöste Induktionsschaltung – Erlaubt zuverlässigere und robustere Endanwendungen
Niedriger RDS(ON) – minimiert Verluste im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Anwendungen
Motorsteuerung
DC/DC-Wandler
Stromüberwachungseinheit