DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 80 V 125 W, 8-Pin PowerDI5060
- RS Best.-Nr.:
- 182-7366
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH8003SPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 182-7366
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH8003SPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A (Status), 100 Á (konstant) | |
| Drain-Source-Spannung max. | 80 V | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 125 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.95mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 124,3 nC @ 10V | |
| Länge | 5.85mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 A (Status), 100 Á (konstant) | ||
Drain-Source-Spannung max. 80 V | ||
Gehäusegröße PowerDI5060 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 6 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 125 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.95mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 124,3 nC @ 10V | ||
Länge 5.85mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1.05mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Ausgelegt für +175°C – Ideal für den Einsatz bei hoher Umgebungstemperatur
Zu 100 % gelöste Induktionsschaltung – Erlaubt zuverlässigere und robustere Endanwendungen
Thermisch-effiziente Gehäusekühlung bei der Ausführung von Anwendungen, mit hoher Wandlungseffizienz
Niedriger RDS(ON) – minimiert Verluste im eingeschalteten Zustand
Anwendungen
Schaltend
Synchrone Gleichrichtung
DC/DC-Wandler
Zu 100 % gelöste Induktionsschaltung – Erlaubt zuverlässigere und robustere Endanwendungen
Thermisch-effiziente Gehäusekühlung bei der Ausführung von Anwendungen, mit hoher Wandlungseffizienz
Niedriger RDS(ON) – minimiert Verluste im eingeschalteten Zustand
Anwendungen
Schaltend
Synchrone Gleichrichtung
DC/DC-Wandler