DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 100 V 78 W, 8-Pin PowerDI5060

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
182-7425
Herst. Teile-Nr.:
DMT10H017LPD-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

43,7 A (Status), 54,7 Á (konstant)

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

PowerDI5060

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

30,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

78 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5.1mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

28,6 nC @ 10V

Länge

6mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Automobilstandard

AEC-Q101

Höhe

1.05mm

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(on)) sowie für schnelle Schaltungen entwickelt und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Zu 100 % gelöste Induktionsschaltung – erlaubt zuverlässigere
und robustere Endanwendungen
Hohe Effizienz bei der Wandlung
Niedriger RDS(ON) – minimiert Verluste im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Bleifreie Oberfläche
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät

Anwendungen
Synchroner Gleichrichter
DC/DC-Wandler
Primärseitige Schaltung