DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 100 V 78 W, 8-Pin PowerDI5060
- RS Best.-Nr.:
- 182-7425
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT10H017LPD-13
- Marke:
- DiodesZetex
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | 1,764 € | 8,82 € |
| 125 - 245 | 1,554 € | 7,77 € |
| 250 - 495 | 1,512 € | 7,56 € |
| 500 - 995 | 1,472 € | 7,36 € |
| 1000 + | 1,436 € | 7,18 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-7425
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT10H017LPD-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 43,7 A (Status), 54,7 Á (konstant) | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 30,3 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 78 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 28,6 nC @ 10V | |
| Länge | 6mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 5.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 43,7 A (Status), 54,7 Á (konstant) | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße PowerDI5060 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 30,3 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 78 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 28,6 nC @ 10V | ||
Länge 6mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 5.1mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Höhe 1.05mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(on)) sowie für schnelle Schaltungen entwickelt und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Zu 100 % gelöste Induktionsschaltung – erlaubt zuverlässigere
und robustere Endanwendungen
Hohe Effizienz bei der Wandlung
Niedriger RDS(ON) – minimiert Verluste im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Bleifreie Oberfläche
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Synchroner Gleichrichter
DC/DC-Wandler
Primärseitige Schaltung
und robustere Endanwendungen
Hohe Effizienz bei der Wandlung
Niedriger RDS(ON) – minimiert Verluste im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Bleifreie Oberfläche
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Synchroner Gleichrichter
DC/DC-Wandler
Primärseitige Schaltung