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DiodesZetex DMP45H21DHE-13 P-Kanal, SMD MOSFET 450 V / 600 mA 12,5 W, 3-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 182-7460
Herst. Teile-Nr.:: DMP45H21DHE-13
Marke:: DiodesZetex

DiodesZetex DMP45H21DHE-13 P-Kanal, SMD MOSFET 450 V / 600 mA 12,5 W, 3-Pin SOT-223

Preis pro Stück (In einer VPE à 25)

0,482 €

(ohne MwSt.)

0,574 €

(inkl. MwSt.)

2250 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
25 - 225	0,482 €	12,05 €
250 - 475	0,433 €	10,825 €
500 - 975	0,421 €	10,525 €
1000 - 1475	0,41 €	10,25 €
1500 +	0,40 €	10,00 €

*Bitte VPE beachten

Nicht als Expresslieferung erhältlich

RS Best.-Nr.:: 182-7460
Herst. Teile-Nr.:: DMP45H21DHE-13
Marke:: DiodesZetex

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet DMP45H21DHE-13

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Dieses MOSFET vom Anreicherungstyp P-Kanal mit 450 V bietet den Benutzern konkurrenzfähige Leistungsdaten, mit einer effizienten Leistungsbelastbarkeit und hohen Impedanz, und ist dabei frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen. Dieses Gerät kommt einer Vielzahl von Stromkreisen für allgemeine Anwendungen und Telekommunikationsanwendungen zugute.

Niedrige Gate-Ansteuerung
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Schalten von Lasten
Unterbrechungsfreie Stromversorgung

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	600 mA
Drain-Source-Spannung max.	450 V
Gehäusegröße	SOT-223
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	21 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	12,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	6.55mm
Breite	3.55mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	4,2 nC @ 10V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.65mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V