ROHM EM6K33 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 50 V / 200 mA 150 mW, 6-Pin SOT-563

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RS Best.-Nr.:
183-4948
Herst. Teile-Nr.:
EM6K33T2R
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

200 mA

Drain-Source-Spannung max.

50 V

Gehäusegröße

SOT-563

Serie

EM6K33

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

7,2 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1V

Gate-Schwellenspannung min.

0.3V

Verlustleistung max.

150 mW

Gate-Source Spannung max.

±8 V

Breite

1.3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

1.7mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

0.45mm

Komplexe MOSFETs (N+N) werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

Antriebstyp mit niedrige Spannung (1,2V)
Kleinsignal-MOSFET mit Nch+Nch
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei