ROHM HP8K22 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 20 A 25 W, 8-Pin HSOP

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RS Best.-Nr.:
183-4989
Herst. Teile-Nr.:
HP8K22TB
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

HSOP

Serie

HP8K22

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

13,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1.3V

Verlustleistung max.

25 W

Gate-Source Spannung max.

20 V, ±20 V

Länge

5.8mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

10 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

5mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.05mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Ursprungsland:
TH
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei.