ROHM QS5U34 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,5 A 900 mW, 5-Pin TSMT

Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:

Alternative

Folgende mögliche Alternative können wir anbieten:

presentation
ROHM QS5U34 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,5 A 900 mW, 5-Pin TSMT
RS Best.-Nr.
183-4709

Stück (Auf einer Rolle von 3000)

0,13 €

(ohne MwSt.)

0,15 €

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:
183-5008
Herst. Teile-Nr.:
QS5U34TR
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1,5 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

TSMT

Serie

QS5U34

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand max.

310 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.3V

Gate-Schwellenspannung min.

0.3V

Verlustleistung max.

900 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

10 V

Breite

1.6mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

2.9mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

1,8 nC @ 4,5 V

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

0.85mm

ROHM MOSFETs werden als Bauelemente mit niedrigem RDS(on)-Widerstand durch die Mikroverarbeitungstechnologie hergestellt und sind in einer breiten Palette einschließlich Hybridtypen (MOSFET + Schottky-Diode) erhältlich, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

Middle Power-MOSFET mit mehreren Schottky-Dioden
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei