ROHM RF4E110BN N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2 W, 8-Pin HUML2020
- RS Best.-Nr.:
- 183-5124
- Herst. Teile-Nr.:
- RF4E110BNTR
- Marke:
- ROHM
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- Ursprungsland:
- TH
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse (HUML2020L8).
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse (HUML2020L8).
Bleifreie Leitungsbeschichtung
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