ROHM N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 10 A 40 W, 3-Pin TO-220FM

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RS Best.-Nr.:
183-5283
Herst. Teile-Nr.:
RCX100N25
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

10 A

Drain-Source-Spannung max.

250 V

Gehäusegröße

TO-220FM

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

640 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

40 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Länge

10.3mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Breite

4.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

26,5 nC @ 10 V

Höhe

15.4mm

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

Ursprungsland:
KR
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

10-V-Antriebstyp
N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifrei