ROHM RQ7E055AT P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,5 A 1,5 W, 8-Pin TSMT

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
183-5286
Herst. Teile-Nr.:
RQ7E055ATTCR
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

5,5 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

RQ7E055AT

Gehäusegröße

TSMT

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

36,1 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

1,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

18,8 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

2.5mm

Länge

3.1mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Höhe

0.8mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
JP
Der RQ7E055AT ist in einem kleinen SMD-Gehäuse untergebracht und zum Schalten geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Kleines SMD-Gehäuse (TSMT8)
Bleifreie Leitungsbeschichtung