ROHM RD3L08BGN N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 119 W, 3-Pin DPAK

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RS Best.-Nr.:
183-5340
Herst. Teile-Nr.:
RD3L08BGNTL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

DPAK

Serie

RD3L08BGN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

8,1 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

119 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Breite

6.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

71 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

6.8mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.3mm

Ursprungsland:
JP
Der RD3L08BGN ist ein Leistungs-MOSFET für Schaltanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines gegossenes Hochleistungsgehäuse (TO-252)
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei