ROHM RD3P08BBD N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 119 W, 3-Pin DPAK

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RS Best.-Nr.:
183-5354
Herst. Teile-Nr.:
RD3P08BBDTL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

DPAK

Serie

RD3P08BBD

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

16 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

119 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

37 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

6.8mm

Breite

6.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.3mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Ursprungsland:
JP
Der RD3P08BBD ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Betriebswiderstand und für Schaltanwendungen geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse
Bleifreie Leitungsbeschichtung

Halogenfrei