ROHM RQ5E025AT P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 1 W, 3-Pin TSMT

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RS Best.-Nr.:
183-5366
Herst. Teile-Nr.:
RQ5E025ATTCL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

2,5 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

RQ5E025AT

Gehäusegröße

TSMT

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

135 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

1 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Breite

1.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

3mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

5,4 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

150 °C

Höhe

0.95mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Ursprungsland:
JP
Der MOSFET der Serie RQ5E025AT ist für Schaltanwendungen mit niedrigem Betriebswiderstand vorgesehen.

Niedriger Betriebswiderstand.
Kleines SMD-Gehäuse (TSMT3).
Bleifreie Leitungsbeschichtung