ROHM RF4C100BC P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 10 A 2 W, 8-Pin HUML2020

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RS Best.-Nr.:
183-5379
Herst. Teile-Nr.:
RF4C100BCTCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

10 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

HUML2020

Serie

RF4C100BC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

37,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.2V

Gate-Schwellenspannung min.

0.5V

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±8 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

2.1mm

Breite

2.1mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

23,5 nC bei 4,5 V

Höhe

0.65mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Ursprungsland:
TH
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse (HUML2020L8).
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei