ROHM RQ6L020SP P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2 A 1,25 W, 6-Pin SOT-457T

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RS Best.-Nr.:
183-5386
Herst. Teile-Nr.:
RQ6L020SPTCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

2 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Serie

RQ6L020SP

Gehäusegröße

SOT-457T

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

266 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

1,25 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Betriebstemperatur max.

150 °C

Breite

1.8mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

7,2 nC bei 5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

3mm

Höhe

0.95mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
JP
Der RQ6L020SP ist ein MOSFET mit geringem Betriebswiderstand für Schaltanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines gegossenes Hochleistungsgehäuse (TSMT)
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei